一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜及制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111543656.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114349962A | 公開（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申請公布號 | CN114349962A | 申請公布日 | 2022-04-15 |
| 分類號 | C08G73/10（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08K3/36（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;C08K3/34（2006.01）I;C08K7/18（2006.01）I;C08K9/04（2006.01）I | 分類 | 有機高分子化合物；其制備或化學加工；以其為基料的組合物; |
| 發(fā)明人 | 胡知之;朱建民;劉兆濱;宮聿澤;邰振輝;宋恩軍;富揚;趙洪斌;馬可;何明波;梁東 | 申請（專利權）人 | 遼寧奧克華輝新材料有限公司 |
| 代理機構 | 鞍山嘉訊科技專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 徐喆 |
| 地址 | 111000遼寧省遼陽市宏偉區(qū)東環(huán)路29號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜及制備方法，該聚酰亞胺薄膜的結構式：其中，n是不為零的整數(shù)。制備方法：1）將二胺單體溶解于非質子極性溶劑中，并加入二酐單體，再加入納米粒子均勻，涂覆于光滑的玻璃板基體；最后進行加熱保溫處理。優(yōu)點是：該聚酰亞胺薄膜具有良好的介電性能。 |
