一種浸沒式散熱的高頻傳輸結(jié)構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011591317.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112750797B 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN112750797B 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L23/44（2006.01）I;H01L23/66（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01P3/12（2006.01）I;H01P1/207（2006.01）I;H01Q13/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李君;曹立強;戴風偉 申請（專利權）人 華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司
代理機構 上海智晟知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 214028江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種浸沒式散熱的高頻傳輸結(jié)構，包括堆疊的第一晶圓及第二晶圓，其中，第一晶圓上臺階型的第一腔體與第二晶圓上的第二腔體形成深腔結(jié)構，深腔結(jié)構的表面設置有金屬層，內(nèi)部填充非導電液態(tài)媒質(zhì)，形成傳輸波導或濾波器，芯片的部分表面貼裝于深腔結(jié)構內(nèi)，與金屬層電連接，此外，第二晶圓上設置有通孔，一方面與泵、熱交換器連通，另一方面可用作開口型天線。