一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110027707.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112881882A 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN112881882A 申請公布日 2021-06-01
分類號 G01R31/28;H01L21/66 分類 測量；測試;
發(fā)明人 黃寓洋 申請（專利權(quán)）人 蘇州蘇納光電有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號生物納米園A4樓109C單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法及裝置，所述方法包括：測試芯片的總電容，測試芯片內(nèi)部的Pad寄生電容，測試芯片的有源區(qū)電容，根據(jù)總電容、Pad寄生電容和有源區(qū)電容，計算芯片的爬坡寄生電容。本發(fā)明可以有效地計算出芯片的爬坡寄生電容，從而可以對該電容進行具體調(diào)整，進而減小該電容對高速芯片帶寬的影響。