一種BCD集成工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410127091.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103871970A 公開（公告）日 2014-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN103871970A 申請(qǐng)公布日 2014-06-18
分類號(hào) H01L21/8249(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡浩;寧小霖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都立芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭霞
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)肖家河中街43號(hào)6幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種BCD集成工藝，包括以下步驟：選擇N型輕摻雜厚外延襯底；在N型厚外延襯底上形成P型埋層；在P型埋層上生長(zhǎng)N型薄外延層；N阱注入；P阱注入；推阱和場(chǎng)氧生長(zhǎng)；注入、退火形成P型輕摻雜頂層；或者，注入、退火形成p型場(chǎng)區(qū)；柵氧生長(zhǎng)；多晶硅柵形成；源漏形成。采用本發(fā)明所述工藝制作CMOS、DMOS器件和寄生PNP晶體管器件，可降低器件的導(dǎo)通電阻，提升產(chǎn)品性能，還可以節(jié)省橫向的耐壓長(zhǎng)度，從而節(jié)省芯片面積，降低制造成本，并能實(shí)現(xiàn)VDMOS與LDMOS的并聯(lián)使用。