基于BCD工藝的高壓LDMOS器件及制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410126232.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103840008A 公開（公告）日 2014-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN103840008A 申請(qǐng)公布日 2014-06-04
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡浩;寧小霖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都立芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭霞
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)肖家河中街43號(hào)6幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于BCD工藝的高壓LDMOS器件及制造工藝，高壓LDMOS器件包括襯底，襯底為N型襯底，N型襯底上為P型埋層，P型埋層上為N型薄外延層，N阱位于N型薄外延層的一側(cè)，N阱靠近多晶硅的一側(cè)為被場(chǎng)氧化層覆蓋的P型輕摻雜頂層，另一側(cè)為N型注入層，N型注入層向上延伸至漏極，P阱位于N型薄外延層的另一側(cè)，P阱的中上部為p型場(chǎng)區(qū)，p型場(chǎng)區(qū)上有短接N型注入層和短接P型注入層，短接N型注入層和短接P型注入層的連接處向上延伸至源極，N阱和P阱的連接處有柵極氧化層，柵極氧化層上為多晶硅，多晶硅外接?xùn)艠O。本發(fā)明所述LDMOS器件的耐壓區(qū)長(zhǎng)度較小，能在保證擊穿電壓不變的條件下大幅度減少器件的導(dǎo)通電阻。