一種大功率多路串并聯(lián)均壓的電壓浪涌抑制電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120413491.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214227825U 公開（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN214227825U 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) H02H9/00（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 王勇;王磊;齊福淼;劉玉海 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安市新雷能電子科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 西安銘澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 姬莉
地址 710000陜西省西安市高新區(qū)學(xué)士路南段39號(hào)2幢1單元10601室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種大功率多路串并聯(lián)均壓的電壓浪涌抑制電路，包括外接輸入端，外接輸入端與第一電容的一端電連接，第一電容的另一端接地；外接輸出端，外接輸出端與第二電容的一端電連接，第二電容的另一端接地；箝位電路，串聯(lián)在外接輸入端和外接輸出端之間。本實(shí)用新型通過箝位MOSFET管多管串聯(lián)均流和多管并聯(lián)均壓線路，大幅度提升線性過壓浪涌抑制功率，過壓等級(jí)，擴(kuò)展浪涌抑制的使用范圍，同時(shí)可以根據(jù)實(shí)際需要多級(jí)串并聯(lián)功率MOSFET管，實(shí)現(xiàn)更高電壓等級(jí)和更大功率等級(jí)的使用，實(shí)用性強(qiáng)，值得推廣。