曝光光線頻率增強(qiáng)裝置、光掩模及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210644423.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114740687A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114740687A 申請公布日 2022-07-12
分類號 G03F1/26（2012.01）I;G03F1/38（2012.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G02B5/00（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 季明華;黃早紅;任新平;林岳明 申請（專利權(quán)）人 上海傳芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國上海市臨港新片區(qū)層林路688號1號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種曝光光線頻率增強(qiáng)裝置、光掩模及其制備方法，該裝置包括透光基板及表面等離子激元層，其中，表面等離子激元層包括多個納米單元結(jié)構(gòu)，多個所述納米單元結(jié)構(gòu)分別在所述表面等離子激元層平面的第一方向和第二方向上設(shè)置為可與曝光光線的波長匹配而產(chǎn)生和頻效應(yīng)的周期性間隔排布，和頻效應(yīng)可形成穿過所述透光基板的和頻光，和頻光的功率占穿過所述表面等離子激元層的曝光光線的總功率的比例＞30%。通過頻率增強(qiáng)該裝置，使曝光光線含有30%以上的比原曝光光線頻率更高（波長更短）和頻光，因此，本發(fā)明可大大提高投影式光刻工藝的分辨率和對比度。