掩模版

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210534338.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114755898A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114755898A 申請(qǐng)公布日 2022-07-15
分類號(hào) G03F9/00（2006.01）I;G03F7/00（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 林岳明;季明華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海傳芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)臨港新片區(qū)江山路2699弄1號(hào)樓5樓南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種掩模版，包括透明掩模基板、設(shè)置于透明掩?；鍍蓚?cè)的第一功能層和第二功能層、及至少兩個(gè)探測(cè)孔，探測(cè)孔縱向貫通于透明掩?；?、第一功能層和第二功能層，以獲取位置數(shù)據(jù)的裝置的探針穿過(guò)，其中，第一功能層為包括第一遮光層和第一光刻膠層，或者為圖案層；第二功能層為包括第二遮光層和第二光刻膠層，或者為標(biāo)記層，標(biāo)記層包括至少兩個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。探針可移動(dòng)至標(biāo)記層上獲取標(biāo)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置數(shù)據(jù)，探針可穿過(guò)探測(cè)孔移動(dòng)至晶圓上，以準(zhǔn)確獲取位于晶圓上的基準(zhǔn)標(biāo)記位置數(shù)據(jù)，易于在光刻時(shí)實(shí)現(xiàn)晶圓和掩模版的納米級(jí)定位對(duì)準(zhǔn)，提高光刻套刻時(shí)對(duì)準(zhǔn)的精度，制備得到納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)套刻的圖像。