自對準(zhǔn)接觸制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410585105.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105632906B 公開（公告）日 2019-10-29
申請公布號 CN105632906B 申請公布日 2019-10-29
分類號 H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超 申請（專利權(quán)）人 北京中科微投資管理有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京藍(lán)智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號4號樓1層108室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種自對準(zhǔn)接觸制造方法，包括：在襯底上的層間介質(zhì)層中形成金屬柵極以及金屬柵極兩側(cè)的柵極側(cè)墻；自對準(zhǔn)刻蝕，去除層間介質(zhì)層，露出柵極側(cè)墻和源漏極區(qū)域；形成接觸金屬層，覆蓋襯底的源漏極區(qū)域和金屬柵極頂部、以及柵極側(cè)墻側(cè)壁；以及平坦化接觸金屬層，直至暴露柵極側(cè)墻頂部。依照本發(fā)明的自對準(zhǔn)接觸制造方法，不對金屬柵極凹陷而是直接在其頂部形成保護(hù)層，能有效適當(dāng)放寬關(guān)鍵尺寸和重疊大小的限制，提高了對工藝波動的穩(wěn)定性和器件可靠性，降低了制造成本和工藝難度。