半導(dǎo)體器件制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410465366.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105428317B 公開(kāi)（公告）日 2018-09-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN105428317B 申請(qǐng)公布日 2018-09-18
分類號(hào) H01L21/8238;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟令款 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京中科微投資管理有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：在包含半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的襯底上依次形成線條疊層、硬掩模疊層，所述硬掩模疊層包括至少一個(gè)第一硬掩模層和至少一個(gè)第二硬掩模層，所述第一硬掩模層包含硅基絕緣材料，所述第二硬掩模層包含非硅基絕緣材料；在硬掩模疊層上形成光刻膠圖形；以光刻膠圖形為掩模，各向異性干法刻蝕硬掩模疊層形成硬掩模圖形；以硬掩模圖形為掩模，各向異性干法刻蝕線條疊層形成精細(xì)線條。依照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法，采用多層掩模提高了線條的垂直度和刻蝕選擇性，提高了線條精度、有效降低了器件尺寸。