自對(duì)準(zhǔn)接觸制造方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410584842.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN105632921B | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105632921B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-07-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/336(2006.01)I; H01L21/68(2006.01)I; H01L21/768(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 秦長(zhǎng)亮; 殷華湘; 李俊峰; 趙超 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 北京中科微投資管理有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 陳紅 |
| 地址 | 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種自對(duì)準(zhǔn)接觸制造方法,包括:在襯底上的第一層間介質(zhì)層中形成柵極開(kāi)口;在柵極開(kāi)口中形成金屬柵極;在金屬柵極以及第一層間介質(zhì)層上形成第二層間介質(zhì)層;在第二層間介質(zhì)層上形成位于金屬柵極上方的掩模圖形;以掩模圖形為掩模,依次刻蝕第二層間介質(zhì)層和第一層間介質(zhì)層,直至暴露襯底,形成自對(duì)準(zhǔn)的源漏接觸孔。依照本發(fā)明的自對(duì)準(zhǔn)接觸制造方法,不對(duì)金屬柵極凹陷而是直接在其頂部形成保護(hù)層,能有效適當(dāng)放寬關(guān)鍵尺寸和重疊大小的限制,提高了對(duì)工藝波動(dòng)的穩(wěn)定性和器件可靠性,降低了制造成本和工藝難度。 |





