一種提高可見光通信中Micro-LED帶寬方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911333564.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111010232A 公開（公告）日 2020-04-14
申請公布號 CN111010232A 申請公布日 2020-04-14
分類號 H04B10/116(2013.01)I;H04B10/50(2013.01)I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 吳挺竹;王澤平;陳兵;林岳;劉青青;陳忠;呂毅軍;高巨守;劉夢 申請（專利權(quán)）人 越眾技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廈門南強之路專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張素斌
地址 361005福建省廈門市思明南路422號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高可見光通信中Micro?LED帶寬方法，涉及可見光通信領(lǐng)，包括以下步驟：1)根據(jù)Micro?LED芯片有源區(qū)對芯片發(fā)光波長的調(diào)控機理，構(gòu)建Micro?LED芯片光學(xué)性能模型；2)根據(jù)步驟1)構(gòu)建的Micro?LED芯片光學(xué)性能模型制備微納尺度下量子阱層露出的Micro?LED芯片；3)在步驟2)制備的Micro?LED芯片的側(cè)壁沉積ALD層；4)在Micro?LED芯片上沉積量子點，使量子點和側(cè)壁量子阱接觸，從而利用非輻射能量轉(zhuǎn)移機制加大載流子復(fù)合效率，降低載流子壽命，進(jìn)而提高M(jìn)icro?LED的?3dB帶寬。??