一種低透過率低反射率鍍膜片
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010013282.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111190244B | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
| 申請公布號 | CN111190244B | 申請公布日 | 2021-10-08 |
| 分類號 | G02B1/10(2015.01)I;G02B1/11(2015.01)I;G02B1/116(2015.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 葛文志;王剛;王懿偉;矢島大和;翁欽盛 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州美迪凱光電科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州華知專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 楊秀芳 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道20號大街578號3幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種低透過率低反射率鍍膜片制備方法,包括襯底基板,其特征在于,所述襯底基板表面鍍有多層膜結(jié)構(gòu),所述的膜結(jié)構(gòu)包括介電質(zhì)膜和金屬膜;所述襯底基板上不同所述金屬膜的厚度隨與所述襯底基板距離的增大而減小。本發(fā)明利用蒸鍍工藝和濺射鍍膜工藝,并通過在鍍膜過程中調(diào)節(jié)金屬材料蒸鍍用量或金屬靶材濺射用量來控制每層金屬膜層的厚度,從而實(shí)現(xiàn)低透過率、低反射率鍍膜片的制備,所用原料簡單、容易配制,制備過程更加方便;由于制備過程中膜材料用量容易通過設(shè)備進(jìn)行控制,故而制備出的鍍膜片的膜厚度更加均勻,襯底基板鍍膜過程在真空環(huán)境中進(jìn)行,膜材料在襯底基板表面分布更加均勻;所制成品透過率低、反射率低,遮光效果好。 |





