一種等離子體刻蝕裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520079805.X 申請日 -
公開（公告）號 CN204407288U 公開（公告）日 2015-06-17
申請公布號 CN204407288U 申請公布日 2015-06-17
分類號 H01J37/32(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海霞;殷翔芝;江霞;喬冠娣 申請（專利權(quán)）人 江蘇金來順光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 224300 江蘇省鹽城市射陽縣射陽經(jīng)濟開發(fā)區(qū)人民西路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種等離子體刻蝕裝置，包括主機柜，所述主機柜內(nèi)設(shè)有反應(yīng)室，所述反應(yīng)室上方與一送氣管連接，反應(yīng)室下方與一抽氣管連接，所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有一靜電吸盤，所述反應(yīng)室上方中央設(shè)有射頻電源，所述射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈，所述射頻電源與所述射頻電感線圈連接，所述射頻電源還與所述靜電吸盤連接，所述靜電吸盤與所述射頻電源的距離為20mm-40mm。能更好的控制等離子體的刻蝕速率及刻蝕深度，保證了放電用的電場的對稱性分布，使刻蝕速率具有良好的均勻性。