一種用于LED的GaN深溝平坦化的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811408698.5 申請日 -
公開（公告）號 CN109524524B 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN109524524B 申請公布日 2020-04-28
分類號 H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華斌;黃慧詩;閆曉密 申請（專利權）人 江蘇星光恒輝半導體有限公司
代理機構 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214192 江蘇省無錫市錫山經濟開發(fā)區(qū)團結北路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LED芯片技術領域，提供一種用于LED的GaN深溝平坦化的制作方法，包括如下步驟：制作絕緣層?制作錐形絕緣層?生長外延層?刻蝕外延層?GaN深溝刻蝕?制作絕緣介質層?制作導電金屬層；本發(fā)明通過在藍寶石平片襯底上引入圖形化的絕緣層，由于圖形化的絕緣層易被刻蝕，使得當GaN深溝刻蝕時，通過干法刻蝕工藝即能實現GaN深溝內的平坦化，不僅能提升LED的亮度，而且極大提升了傳統(tǒng)工藝膜層的均勻性，同時提升了器件的可靠性。