電容充放電裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201710324682.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN107167720B | 公開(公告)日 | 2019-12-13 |
| 申請公布號 | CN107167720B | 申請公布日 | 2019-12-13 |
| 分類號 | G01R31/26(2014.01); G01R1/28(2006.01) | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 周鋒; 黃慧詩; 華斌; 張秀敏; 閆曉密; 鄭寶玉 | 申請(專利權)人 | 江蘇星光恒輝半導體有限公司 |
| 代理機構 | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) | 代理人 | 江蘇新廣聯(lián)半導體有限公司 |
| 地址 | 214192 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)團結北路18號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種電容充放電裝置,其特征是:包括單片機模塊、裝置輸入端、整流電路、單片機供電電路、充放電電路以及負載;所述裝置輸入端連接整流電路,整流電路連接A開關和單片機供電電路,單片機供電電路通過B開關連接單片機模塊;所述充放電電路包括多路的充放電電路,每路充放電電路包括依次連接的前PMOS電路、前防反沖電路、可換電容插槽、后PMOS電路和后防反沖電路,前PMOS電路和后PMOS電路的輸入連接A開關,后防反沖電路的輸出連接負載;所述單片機模塊的IO口連接前光耦電路和后光耦電路,前光耦電路連接前PMOS電路,后光耦電路連接后PMOS電路。本發(fā)明通過對電容進行充電和放電,對LED負載提供沖擊模擬,輕易地獲得了LED因沖擊而造成的各種不良現(xiàn)象。 |





