一種氮氧傳感器陶瓷芯片的膜片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110197141.7 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112834592A 公開(公告)日 2021-05-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN112834592A 申請(qǐng)公布日 2021-05-25
分類號(hào) G01N27/407 分類 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 彭琛;雷運(yùn)清 申請(qǐng)(專利權(quán))人 成都能斯特新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州德偉專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 黃浩威;何文穎
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)尚陽路12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮氧傳感器陶瓷芯片的膜片,包括第一膜片層、第五膜片層、第六膜片層和外電極,所述第一膜片層頂部通過絲網(wǎng)印刷安裝有外電極,所述第一膜片層下方安裝有第五膜片層,所述第五膜片層底部安裝有第六膜片層,所述第一膜片層底部安裝有穩(wěn)定的第二膜片層,所述第二膜片層底部安裝有第三膜片層,通過PVA涂布高阻隔薄膜的設(shè)置可以有效防止尾氣中的水蒸氣進(jìn)入膜片內(nèi)部,避免陶瓷芯片遇水熱脹冷縮發(fā)生開裂,同時(shí)該膜片各個(gè)膜片層均為多孔結(jié)構(gòu),功能層之間界面結(jié)合為一體,在很大程度上提高了該氮氧傳感器芯片的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和穩(wěn)定性,通過減少空腔的設(shè)置以及增加絕緣層的設(shè)置,使整個(gè)陶瓷芯片的穩(wěn)定性和防漏電功能得到大大提高。