一種半導體用石英的氧化釔涂層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110369899.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113122795A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122795A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C23C4/134（2016.01）I;C23C4/02（2006.01）I;C23C4/11（2016.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 嚴汪學;薛弘宇;桂傳書 申請（專利權）人 江蘇凱威特斯半導體科技有限公司
代理機構 無錫蘇元專利代理事務所（普通合伙） 代理人 張姝
地址 214000江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)團結路31號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體用石英的氧化釔涂層的制備方法，包括以下步驟：S1、將石英零件非噴涂區(qū)域進行遮擋保護后進行噴砂；S2、將噴砂后的石英進行純水超聲波清洗，清洗后放入烘箱烘干；S3、烘干后噴涂氧化釔涂層；S4、噴涂后，將遮擋保護去掉，去掉毛刺，進行純水超聲清洗。本發(fā)明在石英表面噴涂氧化釔涂層，形成耐物理腐蝕的保護層，工作時涂層與蝕刻氣體生成的氟化釔不易蒸發(fā)，不污染腔體環(huán)境，使用后的石英部件經(jīng)藥水浸泡，去除涂層和副產(chǎn)物，可重新進行噴砂噴涂工藝，大大增加零件的使用次數(shù)，提高了使用率，降低了生產(chǎn)成本。