一種氮化鎵3D-RESURF場效應晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110317473.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113078204B 公開（公告）日 2022-05-17
申請公布號 CN113078204B 申請公布日 2022-05-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周琦;李翔宇;黃芃;陳匡黎;王景海;韓曉琦;張波 申請（專利權）人 電子科技大學廣東電子信息工程研究院
代理機構 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 611731四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體器件技術領域，具體為一種氮化鎵3D?RESURF場效應晶體管及其制備方法。本發(fā)明在傳統(tǒng)氮化鎵HEMT器件中通過刻槽并二次外延的方式引入P型氮化鎵電場調制區(qū)。在漂移區(qū)處形成P型氮化鎵—二維電子氣構成的p?n結，并通過器件阻斷耐壓時該p?n結空間電荷區(qū)的耗盡與擴展在平行于柵寬方向引入電場強度分量，改變原有電場方向，使得柵極漏側電場尖峰得到緩解，電場強度明顯降低；同時，利用該p?n結耗盡二維電子氣，降低了器件漏電流，提高器件單位漂移區(qū)長度耐壓能力。本發(fā)明通過在氮化鎵HEMT器件中引入P型氮化鎵—二維電子氣p?n結實現(xiàn)了一種不同于傳統(tǒng)場板技術的新型電場調制方式，利用該新結構在提高器件擊穿電壓的同時降低了器件的導通電阻。