一種分離柵MOSFET的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210343805.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114743879A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號(hào) CN114743879A 申請公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧昀浦;黃健;孫閆濤;張楠;宋躍樺;劉靜;吳平麗 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（上海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州京諾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種分離柵MOSFET的制作方法，包括在外延層表面形成溝槽；在溝槽內(nèi)依次形成第一場氧層、氮化硅層及第二場氧層；形成第一多晶硅；去除第一多晶硅上方的第二場氧層，或去除第一多晶硅上方的第二場氧層及氮化硅層；形成第二多晶硅；使外延層表面以及第二多晶硅上方溝槽側(cè)壁的外延層外露。本發(fā)明中，第一多晶硅周圍的第一場氧層、氮化硅層及第二場氧層形成了具有第一厚度的第一場氧，第二多晶硅周圍的第一場氧層和氮化硅層的組合或第一場氧層形成了具有第二厚度的第二場氧，第一場氧和第二場氧的厚度在ONO結(jié)構(gòu)形成時(shí)就已決定了，不受后續(xù)制作過程的影響，保證了二段式場氧厚度的穩(wěn)定性和可控性。