一種先進(jìn)制作工藝控制方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610893739.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN107946172A | 公開（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107946172A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/02;H01L21/66 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王凌翔 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人 | 陳小雯 |
| 地址 | 361100 福建省廈門市翔安區(qū)萬家春路八九九號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種先進(jìn)制作工藝控制方法。首先形成一柵極結(jié)構(gòu)于一基底上，然后形成一間隙壁于柵極結(jié)構(gòu)旁，并進(jìn)行一第一測量步驟來測量間隙壁的臨界尺寸。接著形成一氧化層于間隙壁兩側(cè)的基底表面，進(jìn)行一清洗步驟去除部分氧化層并同時(shí)依據(jù)間隙壁的臨界尺寸調(diào)整清洗步驟所進(jìn)行的時(shí)間來控制氧化層的厚度，進(jìn)行一第二測量步驟來測量氧化層的厚度，以及形成一源極/漏極區(qū)域于間隙壁兩側(cè)的基底內(nèi)。 |
