超導(dǎo)磁體二級冷卻裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820438628.3 申請日 -
公開（公告）號 CN208580630U 公開（公告）日 2019-03-05
申請公布號 CN208580630U 申請公布日 2019-03-05
分類號 H01F6/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈偉俊 申請（專利權(quán)）人 杭州漢勝科磁體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州中平專利事務(wù)所有限公司 代理人 翟中平
地址 311100 浙江省杭州市余杭區(qū)余杭經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)臨平大道590號（東區(qū)廠房）2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種既能夠使超導(dǎo)線圈從室溫降到所需的超低溫狀態(tài)，又不會在液氦容器內(nèi)和超導(dǎo)線圈裝置內(nèi)產(chǎn)生其他氣體冷卻形成的固態(tài)粒的超導(dǎo)磁體二級冷卻裝置，包括超導(dǎo)磁體冷卻裝置，所述超導(dǎo)磁體冷卻裝置中的液氦容器內(nèi)設(shè)有冷卻管路，冷卻管路進(jìn)口和出口分別為冷卻液體的進(jìn)出口，冷卻管路中串有三通控制閥且三通控制閥的至少一個出口與液氦容器相通。優(yōu)點：一是從根本上解決了背景技術(shù)存在的液氦容器內(nèi)殘留其他剩余氣體存在而導(dǎo)致的當(dāng)超導(dǎo)磁體冷卻到更低溫度時，在液氦容器內(nèi)及超導(dǎo)磁體線圈內(nèi)部殘留其他氣體變成殘留固體粒的情形，實現(xiàn)了無其他氣體殘留的目的，確保超導(dǎo)線圈的性能不受影響；二是與全液氦冷卻相比，每臺超導(dǎo)磁體冷卻費(fèi)用節(jié)約比背景技術(shù)高達(dá)70％以上，取得了意想不到的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。