超導(dǎo)磁體二級冷卻裝置及二級冷卻方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201810274789.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN108630376A | 公開(公告)日 | 2018-10-09 |
| 申請公布號 | CN108630376A | 申請公布日 | 2018-10-09 |
| 分類號 | H01F6/04 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 沈偉俊 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州漢勝科磁體設(shè)備有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 杭州中平專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 翟中平 |
| 地址 | 311100 浙江省杭州市余杭區(qū)余杭經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)臨平大道590號(東區(qū)廠房)2幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種既能夠使超導(dǎo)線圈從室溫降到所需的超低溫狀態(tài),又不會在液氦容器內(nèi)和超導(dǎo)線圈內(nèi)產(chǎn)生氮砂粒的超導(dǎo)磁體二級冷卻裝置及二級冷卻方法,包括超導(dǎo)磁體冷卻裝置,所述超導(dǎo)磁體冷卻裝置中的液氦容器內(nèi)設(shè)有冷卻管路,冷卻管路進口和出口分別為冷卻液的進出口,冷卻管路中串有三通控制閥且三通控制閥出口與液氦容器相通。優(yōu)點:一是從根本上解決了背景技術(shù)存在的液氦容器內(nèi)殘留剩余氮氣存在而導(dǎo)致的當(dāng)超導(dǎo)磁體冷卻到更低溫度時,在液氦容器內(nèi)及超導(dǎo)磁體線圈內(nèi)部殘留液氮變成殘留固體氮砂粒的情形,實現(xiàn)了無液氮殘留的目的,確保超導(dǎo)線圈的性能不受影響;二是與全液氦冷卻相比,每臺超導(dǎo)磁體冷卻裝置節(jié)約費用比背景技術(shù)高達70%以上,取得了意想不到的經(jīng)濟效益和社會效益。 |





