雙向氣流的硅晶體生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200920187003.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN201485533U 公開(kāi)（公告）日 2010-05-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN201485533U 申請(qǐng)公布日 2010-05-26
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 馬四海;張笑天 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蕪湖昊陽(yáng)光能股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 余成俊
地址 241100 安徽省蕪湖縣機(jī)械工業(yè)園朝陽(yáng)路一號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙向氣流的硅晶體生長(zhǎng)裝置，包括有爐體，爐體內(nèi)腔中置有筒形的加熱器，加熱器底部的兩個(gè)電極分別嵌入爐體的底部，加熱器內(nèi)腔中設(shè)置有石墨坩堝，石墨坩堝通過(guò)穿過(guò)爐體底部的連桿支撐固定，爐體的上口擱置有可伸入到石墨坩堝內(nèi)腔中的導(dǎo)流筒，所述的爐體頂部的側(cè)壁上開(kāi)有排氣口，且底部開(kāi)有氬氣進(jìn)口，所述的排氣口與氬氣進(jìn)口通過(guò)加熱器內(nèi)壁與石墨坩堝外壁之間的空隙聯(lián)通，爐體外套裝有導(dǎo)氣筒，導(dǎo)氣筒的底部側(cè)壁開(kāi)有出氣口，出氣口與排氣口之間通過(guò)所述的導(dǎo)氣筒與爐體之間的空隙聯(lián)通。本實(shí)用新型采用雙向氣流，可以降低熱場(chǎng)內(nèi)部有害氣體對(duì)石墨件的腐蝕，減少了氧與石墨的接觸面積及時(shí)間，使得硅液表面的氧碳化合無(wú)及有害氣體在下部氣體的流向帶動(dòng)下迅速帶離熱系統(tǒng)，有效控制了晶體中的碳含量。