一種具有三層鈍化層結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910199970.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109888060A 公開(kāi)（公告）日 2019-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN109888060A 申請(qǐng)公布日 2019-06-14
分類(lèi)號(hào) H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0216（2014.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹丙偉; 張忠文; 吳俊旻; 張鵬; 楊蕾; 余波; 王嵐 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 通威太陽(yáng)能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 通威太陽(yáng)能（合肥）有限公司; 通威太陽(yáng)能（成都）有限公司; 通威太陽(yáng)能（安徽）有限公司; 通威太陽(yáng)能（眉山）有限公司; 通威太陽(yáng)能有限公司
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)長(zhǎng)寧大道888號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有三層鈍化層結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池，包括硅基體，所述硅基體正面和背面均依次沉積有二氧化硅層第一鈍化層、三氧化二鋁或含有三氧化二鋁的第二鈍化層和富氫的氮化硅第三鈍化層；位于所述硅基體背面的富氫的氮化硅第三鈍化層上印刷鋁層或鋁柵線，通過(guò)激光刻槽與硅形成歐姆接觸，背面設(shè)置有背電極；位于所述硅基體正面的富氫的氮化硅第三鈍化層上設(shè)置有正電極和副柵線。本發(fā)明還公開(kāi)了一種具有三層鈍化層結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池的制備方法。本發(fā)明通過(guò)在硅片的正、背表面各生長(zhǎng)沉積了一層二氧化硅膜層，很好的增強(qiáng)正背面的鈍化效果，同時(shí)增強(qiáng)了電池片的抗PID性能，并且可以有效的提升電池效率。