FDSOI標準單元的填充圖形的生成方法以及版圖布局方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910938131.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110660792B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN110660792B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張凱;胡曉明 申請（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201203上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)高斯路568號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種FDSOI標準單元的填充圖形的生成方法以及版圖布局方法，該方法包括：獲取標準單元庫中FDSOI標準單元的參數(shù)；根據(jù)FDSOI標準單元的參數(shù)確定填充單元的參數(shù)；根據(jù)填充單元的參數(shù)生成FDSOI標準單元的填充圖形。本申請通過根據(jù)FDSOI標準單元的參數(shù)確定填充單元的參數(shù)，根據(jù)填充單元的參數(shù)生成FDSOI標準單元的填充圖形，由于填充單元的參數(shù)是基于FDSOI標準單元的參數(shù)確定的，因此能夠解決不同類型的FDSOI器件之間的拼接問題，實現(xiàn)了不同類型的FDSOI器件在同一張晶圓上制備，降低了生產(chǎn)成本。