半導(dǎo)體器件的形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910450593.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110085516B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110085516B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/28（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 田志;李娟娟;陳昊瑜;邵華 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海華力微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 屈蘅 |
| 地址 | 201315上海市浦東新區(qū)良騰路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括；在所述襯底上形成氧化層和浮柵層；刻蝕所述浮柵層、所述氧化層和所述襯底形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；刻蝕所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的邊緣部分；在剩余的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成ONO層；在所述ONO層上形成控制柵層。在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的形成方法中，形成的ONO層具有臺(tái)階，但是臺(tái)階的垂直部分與浮柵層中間具有一定厚度的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，因此臺(tái)階的垂直部分不具有電容值，因此也不會(huì)影響到實(shí)際的ONO層的電容值。這種形成方法中，提高了測(cè)得的實(shí)際ONO值準(zhǔn)確度，從而提高了ONO厚度的測(cè)量的準(zhǔn)確度。 |
