一種背溝槽結(jié)構(gòu)絕緣柵雙極晶體管及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201210320248.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103681813B | 公開（公告）日 | 2018-07-24 |
| 申請公布號 | CN103681813B | 申請公布日 | 2018-07-24 |
| 分類號 | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱江 | 申請（專利權(quán)）人 | 廣西惠科科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 536000 廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種背溝槽結(jié)構(gòu)絕緣柵雙極晶體管，傳統(tǒng)絕緣柵雙極晶體管的背P+發(fā)射區(qū)完全覆蓋器件背面，本發(fā)明的絕緣柵雙極晶體管通過溝槽將器件背面部分或全部區(qū)域設(shè)置為多晶P+發(fā)射區(qū)，以此調(diào)節(jié)背P+發(fā)射區(qū)向N型基區(qū)注入空穴的效率，提高器件高頻特性的應(yīng)用范圍。本發(fā)明還提供了一種背溝槽結(jié)構(gòu)絕緣柵雙極晶體管的制備方法。 |
