一種半導(dǎo)體結(jié)裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201510267544.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN106298974B | 公開（公告）日 | 2019-07-05 |
| 申請公布號 | CN106298974B | 申請公布日 | 2019-07-05 |
| 分類號 | H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱江 | 申請（專利權(quán)）人 | 廣西惠科科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 536000 廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)裝置，在耗盡層中垂直半導(dǎo)體結(jié)方向上設(shè)置有交替排列的不同導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，耗盡層中的電場形成具有一定起伏的分布；具有一定起伏的電場分布的結(jié)構(gòu)說明可以設(shè)置高濃度雜質(zhì)摻雜的耗盡層，因此本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)裝置具有低的正向?qū)娮琛?/td> |
