一種超低電容TVS二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610166380.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105679836B 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN105679836B 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊忠武 申請（專利權(quán)）人 廣西惠科科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 536000 廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種超低電容電子產(chǎn)品ESD保護(hù)的瞬態(tài)抑制保護(hù)器（TVS）二極管及其制備方法，此方法采用高電阻率的硅片來降低二極管PN結(jié)電容，并通過注入雜質(zhì)來局部調(diào)節(jié)PN結(jié)接觸區(qū)的低濃度區(qū)的濃度來達(dá)到設(shè)計(jì)的低電壓，既達(dá)到超低電容，低壓，又保證功率良好的效果。本發(fā)明是在高電阻率第一種雜質(zhì)的硅片上形成間隔排列深結(jié)和淺結(jié)的第二種雜質(zhì)區(qū)，并在淺結(jié)的第二種雜質(zhì)區(qū)下面通過注入第一種雜質(zhì)來調(diào)節(jié)PN結(jié)的接觸區(qū)的濃度比，達(dá)到設(shè)計(jì)的反向雪崩擊穿電壓。深結(jié)區(qū)形成超低電容，調(diào)整深結(jié)和淺結(jié)區(qū)面積比例和高電阻率區(qū)的電阻率達(dá)到設(shè)計(jì)的電容值；調(diào)整深結(jié)區(qū)的深度達(dá)到高的功率值。本發(fā)明TVS主要應(yīng)用于超高頻電子設(shè)備的ESD保護(hù)上，應(yīng)用范圍廣泛。