GaN基探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011296081.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112420856A 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN112420856A 申請公布日 2021-02-26
分類號 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天鵬;康建;鄭遠(yuǎn)志;陳向東 申請（專利權(quán)）人 馬鞍山杰生半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京華智則銘知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 沈抗勇
地址 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及探測器技術(shù)領(lǐng)域，且公開了GaN基探測器，包括襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層，所述襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層從下至上依次連接設(shè)置，所述n型歐姆層上設(shè)置有n型接觸層，所述p型歐姆層上設(shè)置有p型接觸層，所述n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層外覆蓋有一層鈍化層，所述本征型GaN有源層和p型歐姆層為錐臺形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明增強了歐姆接觸性能，保證了探測器的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。??