一種用于外延設(shè)備的氣體管路及外延設(shè)備
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202122971524.3 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN216972741U | 公開(公告)日 | 2022-07-15 |
| 申請公布號 | CN216972741U | 申請公布日 | 2022-07-15 |
| 分類號 | C30B25/14(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 尹寧;燕春;楊進 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇天芯微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)行創(chuàng)四路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型涉及用于外延設(shè)備的氣體管路及外延設(shè)備,所述用于外延設(shè)備的氣體管路包括:上游管路、下游管路、可拆卸緊固裝置、限流器和防沉積環(huán),所述防沉積環(huán)設(shè)置在限流器與上游管路的接頭之間和/或限流器與下游管路的接頭之間,所述防沉積環(huán)包括面對限流器的第一表面和與之相對的第二表面,所述第二表面具有從所述接頭的內(nèi)壁向限流器延申的坡面。所述坡面可以很好地防止工藝氣體在氣體管路的直角角落沉積,從而抑制了沉積物形成顆粒物進入反應(yīng)腔,避免了工藝的失敗。 |





