抗總劑量效應(yīng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811440768.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109585531B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN109585531B 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉淼;康曉峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所
代理機(jī)構(gòu) 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 于曉波
地址 110032遼寧省沈陽(yáng)市皇姑區(qū)陵園街20號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種抗總劑量效應(yīng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管，屬于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。該場(chǎng)效應(yīng)管在源區(qū)和漏區(qū)的邊緣使用多晶硅環(huán)繞源區(qū)和漏區(qū)兩極，同時(shí)多晶硅覆蓋有源區(qū)的邊緣形成的蝴蝶柵形結(jié)構(gòu)，因?yàn)镻管不存在邊緣寄生晶體管反型的問(wèn)題，所以只對(duì)N管采用蝴蝶柵結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)能夠減少總劑量輻射下的MOS器件的SiO2中產(chǎn)生的輻射感生陷阱電荷和在Si/SiO2界面產(chǎn)生輻射感生界面態(tài)。從而減少M(fèi)OS器件閾值電壓漂移，防止溝道載流子遷移率降低，防止漏電流增加。該蝴蝶柵形結(jié)構(gòu)能夠完全消除輻射感生邊緣寄生晶體管效應(yīng)，并且與商用工藝相兼容，使用該方法設(shè)計(jì)的集成電路，能夠在整體上具有抗總劑量效應(yīng)的功能。