方便CSP焊接的側(cè)壁電極增大制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811250526.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111106015B 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號(hào) CN111106015B 申請公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01L21/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅雪方;陳文娟;瞿澄;薛水源;羅子杰 申請（專利權(quán)）人 江蘇羅化新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226300 江蘇省南通市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)青島路180號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種方便CSP焊接的側(cè)壁電極增大制作工藝，包括：將芯片排列成矩陣結(jié)構(gòu)，所述芯片的電極朝上；將白墻膜與芯片進(jìn)行熱壓，定高后放置到氮?dú)饪鞠渲羞M(jìn)行烘烤；對(duì)芯片的電極表面的白墻膜進(jìn)行鉆孔，對(duì)鉆孔后的電極表面進(jìn)行金屬沉積外延生長處理，生長方式為磁控濺射、電鍍，電鑄或者化學(xué)鍍中的一種或多種；將熒光膜熱壓到芯片的出光面上并在控制厚度后，將帶有熒光膜的工件放置到氮?dú)饪鞠渲羞M(jìn)行烘烤；使用鉆石切割刀或者樹脂切割刀切割上述工件得到CSP燈珠。本發(fā)明采用金屬沉積外延生長的方式對(duì)芯片的電極進(jìn)行延伸擴(kuò)大，有效解決了的倒裝芯片中因電極尺寸小而導(dǎo)致的不易貼片和焊接的問題。