一種集成門極吸收電路的功率半導(dǎo)體模塊
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021522866.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212750884U | 公開（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212750884U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-19 |
| 分類號(hào) | H01L23/49(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱楠;向禮;辛紀(jì)元 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 致瞻科技（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 肖冰濱;劉兵 |
| 地址 | 201315上海市浦東新區(qū)秀浦路68號(hào)1棟東區(qū)207室.208室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種集成門極吸收電路的功率半導(dǎo)體模塊，屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域。所述功率半導(dǎo)體模塊包括：基板；硅芯片，包括通過(guò)硅電容器技術(shù)連接的門極吸收電容和阻尼電阻，所述硅芯片的背面端子設(shè)置于所述基板上；功率半導(dǎo)體芯片，包括多個(gè)門極端子；第一引線，所述第一引線的一端與所述硅芯片的正面端子連接，所述第一引線的另一端與所述功率半導(dǎo)體芯片的一個(gè)門極端子連接；以及第二引線，所述第二引線的一端與所述硅芯片的背面端子連接，所述第二引線的另一端與所述功率半導(dǎo)體芯片的另一個(gè)門極端子連接。該功率半導(dǎo)體模塊在滿足濾除開關(guān)過(guò)程中門極電壓波形的震蕩和尖峰的需求的情況下降低了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)體積。?? |
