多層多區(qū)垂直腔面發(fā)射激光器裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010106042.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111293584B 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN111293584B 申請公布日 2021-04-16
分類號 H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈志強 申請（專利權(quán)）人 浙江博升光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭棟梁
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)3號樓2604
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種多層多區(qū)垂直腔面發(fā)射激光器裝置，包括垂直腔面發(fā)射激光器層，所述垂直腔面發(fā)射激光器層包括至少兩個區(qū)域，每一區(qū)域至少具有一個垂直腔面發(fā)射激光器；所述垂直腔面發(fā)射激光器層上設(shè)置有至少兩層第一電極層，相鄰所示第一電極層之間設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層將所述至少兩層第一電極層分隔為與所述區(qū)域數(shù)量一致的連接電極，所述連接電極與所述區(qū)域一一對應(yīng)；每一所述區(qū)域內(nèi)，所述垂直腔面發(fā)射激光器的第一電極與該區(qū)域?qū)?yīng)的連接電極電連接該方案減小了VCSEL陣列的整體尺寸，降低了生產(chǎn)成本。