成像探測(cè)器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410243348.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105226130B 公開(kāi)（公告）日 2017-03-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN105226130B 申請(qǐng)公布日 2017-03-29
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天倫;毛劍宏 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)上海市張江高科技園區(qū)龍東大道3000號(hào)5號(hào)樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種成像探測(cè)器的制造方法，包括：刻蝕基底上的犧牲層，形成暴露所述第一互連孔的通孔；利用導(dǎo)電材料填充所述通孔形成第二互連孔；形成金屬層；在金屬層上形成第二介質(zhì)層；利用干法刻蝕去掉部分區(qū)域的第二介質(zhì)層和金屬層，使得相鄰的四個(gè)第二互連孔分別通過(guò)4根金屬線和其上的第二介質(zhì)層連接到所述反射層上方的位置，連接另外對(duì)角的兩個(gè)第二互連孔的金屬線被第二介質(zhì)層覆蓋；并且所述的干法刻蝕不含有灰化制程,在反射層所對(duì)應(yīng)的第二介質(zhì)層上形成熱敏電阻，所述熱敏電阻覆蓋延伸到反射層上方的暴露的金屬線,對(duì)干法刻蝕進(jìn)行了改造，去除了其中的灰化工藝，利用對(duì)氮化硅材料刻蝕的刻蝕工藝，在同一步驟中實(shí)現(xiàn)對(duì)氮化硅和金屬層的刻蝕。