一種晶圓再布線雙重驗證結(jié)構(gòu)、制造方法及驗證方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110381030.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113113388A | 公開(公告)日 | 2021-07-13 |
| 申請公布號 | CN113113388A | 申請公布日 | 2021-07-13 |
| 分類號 | H01L23/544(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃文杰 | 申請(專利權(quán))人 | 頎中科技(蘇州)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)鳳里街166號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶圓再布線雙重驗證結(jié)構(gòu)、制造方法及驗證方法,其中晶圓再布線雙重驗證結(jié)構(gòu),包括:裸芯片,具有基板、設(shè)置在所述基板上的若干焊盤和鈍化層,鈍化層上設(shè)置有若干與焊盤相對設(shè)置并向外暴露相應(yīng)所述焊盤的鈍化層開口。若干再布線模塊,設(shè)置在所述鈍化層之上并與相應(yīng)的焊盤連接;相鄰兩再布線模塊之間形成間隙部。介電模塊,設(shè)置在所述再布線模塊之上,所述介電模塊上形成有朝所述間隙部方向傾斜的傾斜面;電鍍層,設(shè)置在所述介電模塊的傾斜面上。本發(fā)明的晶圓再布線雙重結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)在同一晶圓、一套制程上對不同形式的再布線模塊進行功能驗證。 |





