一種高溫合金單晶葉片的鑄造方法及陶瓷型殼
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020110222367 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112267151A | 公開（公告）日 | 2021-01-26 |
| 申請公布號 | CN112267151A | 申請公布日 | 2021-01-26 |
| 分類號 | C30B29/52(2006.01)I; | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 馬德新;潘智平;徐維臺;趙運(yùn)興;皮立波 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳市深汕特別合作區(qū)萬澤精密科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市華優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 余薇 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市福田保稅區(qū)紅柳道2號順豐工業(yè)城廠房整棟1樓A區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高溫合金單晶葉片的鑄造方法及陶瓷型殼，所述方法包括步驟：S1，制作帶有型芯的蠟?zāi)?，在所述型芯的斜下方向芯頭貼上網(wǎng)狀蠟?zāi)?，并從所述蠟?zāi)５膯尉Р课挥靡灄l斜著向上與所述網(wǎng)狀蠟?zāi)＿B接；S2，通過沾漿淋砂、脫蠟和焙燒獲得陶瓷型殼，其中，所述斜下方向芯頭與所述陶瓷型殼之間形成網(wǎng)格狀間隙、以及連通至單晶部位的引晶通道；S3，將陶瓷型殼進(jìn)行高溫預(yù)熱；S4，進(jìn)行高溫合金的澆注和單晶定向凝固。本發(fā)明使得整個(gè)葉片保持為單晶，避免了因型殼變形形成芯頭間隙而引起的披縫和雜晶缺陷。?? |
