一種晶體硅太陽能電池的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510397471.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104966761A 公開（公告）日 2017-04-05
申請公布號 CN104966761A 申請公布日 2017-04-05
分類號 H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李運(yùn)鈞;尹天平;曾國平;楊墨熹;李昕 申請（專利權(quán)）人 四川銀河星源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周慶佳
地址 622650 四川省綿陽市安縣工業(yè)園區(qū)（花荄鎮(zhèn)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的制造方法，包括：將硅片清洗后進(jìn)行表面處理得到凹凸的絨面；然后采用擴(kuò)散法在硅片上形成PN結(jié)；接著對形成PN結(jié)的硅片周邊刻蝕去除多余擴(kuò)散層，然后在硅片正面和背面分別沉積膜體，并用刻蝕方法刻蝕掉局部膜體，使膜體上形成均勻的露出硅片的點(diǎn)狀或條狀結(jié)構(gòu)；最后在硅片正面和背面分別印刷正面導(dǎo)電漿料和背面導(dǎo)電漿料；然后燒結(jié)得到太陽能電池。本發(fā)明在太陽能電池的膜體上采用刻蝕方法，刻蝕掉局部膜體，然后在局部刻蝕的膜體上印刷非燒穿導(dǎo)電漿料，實現(xiàn)局部金屬與硅直接電接觸，而保留盡量多的膜體在導(dǎo)電漿料高溫?zé)Y(jié)時不被破壞，可增加太陽能電池的開路電壓，減小接觸電阻，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。