校準OM和SEM坐標關(guān)系的方法和裝置、設(shè)備和存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110607323.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113379692A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113379692A 申請公布日 2021-09-10
分類號 G06T7/00（2017.01）I;G06T7/62（2017.01）I;G06T7/73（2017.01）I;G06K9/62（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 甘遠;薛磊;韓春營;俞宗強;蔣俊海 申請（專利權(quán)）人 中科晶源微電子技術(shù)（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京市鼎立東審知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳佳妹;朱慧娟
地址 102600北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海四路156號院12號樓5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種校準OM和SEM坐標關(guān)系的方法，該校準OM和SEM坐標關(guān)系的方法包括讀取由同一標準片中選取的同一標記點在工作臺上的位置和標記圖案，在OM模式下獲取OM圖像，根據(jù)OM標記圖案和OM圖像得到第一標記點偏移量，在SEM模式下獲取SEM圖像，SEM圖像為控制工作臺移動至第二位置處后拍照得到的圖像，根據(jù)SEM標記圖案和SEM圖像得到第二標記點偏移量，通過第一標記點偏移量和第二標記點偏移量得到OM和SEM坐標關(guān)系。這樣針對半導(dǎo)體制造過程中電子束檢測與特征尺寸測量之前的校準過程進行了自動化處理，該方法不僅排除了人為因素以及環(huán)境因素（溫度等）的影響，還提高了檢測效率。