具有高反射歐姆接觸電極的短波紫外LED芯片制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610472516.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106025020A 公開（公告）日 2016-10-12
申請公布號 CN106025020A 申請公布日 2016-10-12
分類號 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 湯英文 申請（專利權(quán)）人 江蘇達(dá)安光電有限公司
代理機構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 閩南師范大學(xué);江蘇達(dá)安光電有限公司
地址 363000 福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了具有高反射歐姆接觸電極的紫外LED芯片制造方法，在襯底上生長有紫外量子阱結(jié)構(gòu)的AlxGa1?xN(0≤x≤1)半導(dǎo)體單晶薄膜，得到結(jié)構(gòu)I；將半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行光刻、刻蝕，刻蝕到P型AlxGa1?xN層，留下的P型GaN層的圓柱，P型GaN圓柱間距在0.3?6微米間，將半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行光刻定義出芯片圖形后將其刻蝕穿或不刻蝕穿；制作高反射歐姆接觸層及阻擋層，通過鍵合或電鍍或二者的混合方式將芯片轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電襯底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通過用對紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金屬疊層在P型GaN及P型AlxGa1?xN層形成較好的反射歐姆接觸，提高了紫外光出光效率。