一種半導(dǎo)體外延用的柔性復(fù)合襯底及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710890140.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN107680901B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-02-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107680901B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-02-09 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 湯英文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇達(dá)安光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 閩南師范大學(xué);江蘇達(dá)安光電有限公司 |
| 地址 | 363000福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體外延用的柔性復(fù)合襯底及制造方法，取兩片厚度為100微米?1000微米拋光的硅片，每片的拋光面蒸發(fā)或?yàn)R射上0.1微米?5微米的金屬鋁，然后通過(guò)兩片硅片上的鋁貼合在一起進(jìn)行高溫鍵合，將兩片硅片鍵合在一起；在鍵合的過(guò)程中部分鋁和硅形成合金，硅片之間也會(huì)殘留鋁層，鋁層厚度小于或等于0.5微米；將鍵合在一起兩片硅片的一片進(jìn)行減薄拋光到1微米?10微米的厚度制成柔性襯底；柔性襯底的薄硅片一面向上,外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體薄膜材料。本發(fā)明通過(guò)將硅襯底制作成柔性襯底從而減少硅與半導(dǎo)體薄膜之間的熱適配，這樣就減少了硅與半導(dǎo)體薄膜之間的膨脹系數(shù)差異引起的應(yīng)力。?? |
