一種半導(dǎo)體圖形襯底的制造及外延的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710890136.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107731660A 公開（公告）日 2018-02-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN107731660A 申請(qǐng)公布日 2018-02-23
分類號(hào) H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 湯英文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇達(dá)安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 談杰
地址 363000 福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體圖形襯底的制造及外延的方法，通過將藍(lán)寶石等襯底生長(zhǎng)一層氧化鋅ZnO；然后制作成蒙古包一樣的ZnO圖形，露出藍(lán)寶石；然后用物理氣相沉積PVD等物理方法生長(zhǎng)AlN保護(hù)層；通過高溫氫氣或氨氣把保護(hù)層下的ZnO反應(yīng)掉或部分反應(yīng)掉，留下來的AlN為中空的蒙古包。本發(fā)明大大緩沖了AlGaInN與藍(lán)寶石之間的熱應(yīng)力，這樣就減少了藍(lán)寶石與AlGaInN之間的膨脹系數(shù)差異引起的應(yīng)力，可以大大減少AlGaInN的位錯(cuò)從而提高晶體質(zhì)量，可以代替GaN單晶襯底，達(dá)到降低芯片制造成本,有利于AlGaInN基LED、電子及微波器件的民用。