碳化硅冶煉方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410666277.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104477917B 公開（公告）日 2016-08-24
申請公布號 CN104477917B 申請公布日 2016-08-24
分類號 C01B31/36(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 朱立起;胡順武;顧小方;李佩健 申請（專利權）人 江蘇樂園新材料集團有限公司
代理機構 連云港潤知專利代理事務所 代理人 江蘇樂園新材料集團有限公司
地址 222000 江蘇省連云港市新浦區(qū)浦南鎮(zhèn)太平村太平路1號（永興化纖公司前面）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種碳化硅冶煉方法，其步驟如下：對已選擇的將作為晶種的碳化硅進行如下處理：破碎處理篩分處理，選取粒徑達到3~8毫米的碳化硅采用酸洗方法進行提純處理，然后用純水進行沖洗；以石墨電極為中心，在0~10cm內放置6H碳化硅晶種0.1%~5%，在10cm~25cm范圍內放置6H碳化硅晶種0.3%~8%，在25cm~40cm范圍內放置4H碳化硅晶種1%~10%。本發(fā)明方法設計合理，可操作性強。通過在碳化硅冶煉中添加晶種有效地提高碳化硅生長效率，有效地控制碳化硅晶型，降低能耗。