一種可控壓擺率N型MOS高邊驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010433903.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111555737B 公開(kāi)（公告）日 2022-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN111555737B 申請(qǐng)公布日 2022-05-20
分類(lèi)號(hào) H03K3/356（2006.01）I 分類(lèi) 基本電子電路;
發(fā)明人 王飛;王云;鄭鯤鯤;郝炳賢;任廣輝;薛靜;王桂磊;亨利·阿達(dá)姆松 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京久維律師事務(wù)所 代理人 -
地址 510535廣東省廣州市廣州開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種可控壓擺率N型MOS高邊驅(qū)動(dòng)電路，屬于驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，用可控電流對(duì)開(kāi)關(guān)的柵極充放電，在充放電完成時(shí)，強(qiáng)開(kāi)或者強(qiáng)關(guān)柵極以防止柵極的電壓擾動(dòng)，所有MNx為與襯底隔離的NMOS器件，M0為需驅(qū)動(dòng)的高邊N型MOS開(kāi)關(guān)，VHIGH為驅(qū)動(dòng)的電源。最左側(cè)MN0?MN3提供了偏置電路，M1為源級(jí)跟隨器結(jié)構(gòu)，限制M0柵極的充電電壓，實(shí)現(xiàn)高邊驅(qū)動(dòng)以及可控壓擺率的功能。