納米線傳感器芯片制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510293854.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104950077B 公開(kāi)（公告）日 2017-10-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN104950077B 申請(qǐng)公布日 2017-10-24
分類號(hào) G01N33/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y15/00(2011.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 李文榮;魏武奇;田畑修;金玉豐;馬盛林;時(shí)廣軼;王春波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江北微信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李相雨
地址 214100 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)繡溪路58-30
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種納米線傳感器芯片制備方法，在半導(dǎo)體圓片S1一面制備電極對(duì)陣列；在半導(dǎo)體圓片S2上制作垂直通孔對(duì)及溶液腔；將S1與S2鍵合；在S2垂直通孔內(nèi)制造垂直引出電極、在S2表面制備電互連線對(duì)，電互連線對(duì)依次電連接S2上垂直引出電極；滴納米線分散液至S2上的溶液腔，通過(guò)S2上引出電極施加交變電壓，去除分散液；將S3與S1?S2鍵合圓片的S2暴露表面鍵合，圖形化，刻蝕半導(dǎo)體圓片S3，在S3圓片區(qū)域制作微孔，暴露出S2上的垂直引出電極；劃片，得到納米線傳感器芯片。該方法能夠解決現(xiàn)有制備技術(shù)批量化、片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復(fù)性差等技術(shù)難題，提高生產(chǎn)效率，提高圓片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復(fù)性，降低成本。