一種基于深度學(xué)習(xí)的SiC二極管特性曲線預(yù)測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210320222.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN114692498A 公開(kāi)(公告)日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114692498A 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) G06F30/27(2020.01)I;G06N3/04(2006.01)I;G06N3/08(2006.01)I 分類 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù);
發(fā)明人 王樹(shù)龍;劉晨鈺;劉艷;陳棟梁;郝躍;韓根全 申請(qǐng)(專利權(quán))人 西安電子科技大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 西安睿通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 -
地址 710071陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微電子器件及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域,具體涉及一種基于深度學(xué)習(xí)的SiC二極管特性曲線預(yù)測(cè)方法。本發(fā)明使用深度學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)快速且便捷地預(yù)測(cè)出碳化硅二極管的反向特性曲線和正向特性曲線,且有較高的準(zhǔn)確率,降低了傳統(tǒng)仿真方法的人力、時(shí)間成本。