一種雙層AIN壓電薄膜水聽器芯片單元、芯片以及水聽器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111140667.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114034377A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114034377A 申請公布日 2022-02-11
分類號 G01H11/08（2006.01）I;H01L41/113（2006.01）I;H01L41/047（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 楊華;王曉波;張浩 申請（專利權(quán)）人 青島國數(shù)信息科技有限公司
代理機構(gòu) 青島錦佳專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱玉建
地址 266000山東省青島市即墨市青島藍(lán)色硅谷創(chuàng)業(yè)中心一期海創(chuàng)中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙層AIN壓電薄膜水聽器芯片單元，其包括由下向上依次設(shè)置的SOI基片、第一AIN壓電層、第一電極層、隔離層、第二AIN壓電層以及第二電極層；第一電極層與第一AIN壓電層的外緣輪廓的形狀和大小均相同；第一電極層包括第一正電極和第一負(fù)電極；第一正電極設(shè)置于第一電極層的中心區(qū)域且呈圓形；第一負(fù)電極設(shè)置于第一電極層的外側(cè)邊緣區(qū)域且呈環(huán)形；第二電極層與第二AIN壓電層的外緣輪廓的形狀和大小均相同；第二電極層包括第二正電極和第二負(fù)電極；第二正電極設(shè)置于第二電極層的中心區(qū)域且呈圓形；第二負(fù)電極設(shè)置于第二電極層的外側(cè)邊緣區(qū)域且呈環(huán)形。本發(fā)明利于提高壓電效率以及壓電電荷的采集效率，從而提高水聽器芯片的靈敏度。