半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210287045.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114725004A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114725004A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L21/762（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王歡 申請（專利權(quán)）人 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)（杭州）有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，制備方法包括：提供一襯底，刻蝕襯底以于襯底中形成溝槽；于溝槽中填充絕緣材料層，絕緣材料層的頂面高于溝槽的頂面；于襯底上形成抗氧化掩膜，抗氧化掩膜顯露場氧制備區(qū)，場氧制備區(qū)包括與溝槽相接的部分襯底；對絕緣材料層進(jìn)行濕法刻蝕，以在絕緣材料層與溝槽的頂部側(cè)壁之間形成側(cè)槽，以顯露溝槽頂部的拐角；通過氧化工藝在場氧制備區(qū)中形成場氧層，溝槽頂部的拐角藉由氧化工藝形成圓角。本發(fā)明可以使溝槽頂部的拐角形成圓角，可極大的消除尖角電荷，保證高壓場氧隔離結(jié)構(gòu)與溝槽隔離結(jié)構(gòu)交界處的場氧層厚度，進(jìn)而可有效提高場氧層的擊穿電壓提高并提升場氧層的可靠性。